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     对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容的发展最快。 多层陶瓷电容在便携产品中的应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如手机要求更高的传输速率和更高的性能，基带处理器要求高速度、低电压。LCD模块要求低厚度、大容量电容。而汽国环境的苛刻性对多层陶瓷电容更特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足150度的工作温度，其次是在电池电路上需要短路失效保护设计。也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。
     陶瓷电容的容量随直流偏电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数，因此需要从材料方面降低介电常数电压的依赖，优化直流偏置电压特性。应用中较为常见的是X7R类多层陶瓷电容，它的容量主要集中在1000PF以上，该类电容器主要性能指标是等交串联电阻，在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦全电路的
低功耗表现比较突出。
     另一类多层陶瓷电容是COG类，它的容量多在1000PF以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值。传统的贵金属电极的COG产品DF值范围是（2.0-8.0）X 10-4，而技术创新型贱金属电极的COG产品DF值范围为(1.0-2.5)X10-4,约是前者的31-50%。该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。

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